8 月 20 日，道益靜電控制（上海）有限公司領(lǐng)導(dǎo)組織區(qū)域銷售經(jīng)理一行 9 人至我司昆山工廠進(jìn)行一天學(xué)習(xí)參觀，公司精心安排人員在對(duì)產(chǎn)品硬件、軟件作了詳細(xì)介紹以后，又對(duì)設(shè)備整體功能進(jìn)行了全面展示操作，使來訪學(xué)習(xí)人員更直觀的感受到我們的設(shè)備在三代半導(dǎo)體制程中所能體現(xiàn)的必要替代優(yōu)勢(shì)，也為雙方合作共贏的目標(biāo)奠定一個(gè)信心的基石。

7 月 10 日，公司陳總一行 3 人及上海道益靜電王總一并赴江蘇徐州天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司進(jìn)行業(yè)務(wù)拜訪。向天科合達(dá)業(yè)務(wù)及研發(fā)負(fù)責(zé)人詳細(xì)介紹了本公司的晶圓選別機(jī)和即將出臺(tái)的晶圓檢測(cè)機(jī)，在產(chǎn)品功能和應(yīng)用上進(jìn)行了深入交流，并就公司產(chǎn)品和目前市場(chǎng)主流進(jìn)口產(chǎn)品及公司在用產(chǎn)品在性能、維護(hù)、價(jià)格上進(jìn)行了討論，提出了合作的可行性方案。

2 月 25 日，總經(jīng)理陳文頂攜公司二位高級(jí)工程師奔赴深圳、東莞兩地，開啟了為期 4 天的產(chǎn)品巡演交流活動(dòng)，分別與行業(yè)內(nèi)從事晶圓設(shè)計(jì)，制造，封測(cè)，貿(mào)易的多個(gè)企業(yè)負(fù)責(zé)人交流了...

據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模正在快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)未來幾年的年復(fù)合增長(zhǎng)率將超過 30%。這主要是受到新能源汽車、5G 通信、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求推動(dòng)。 在碳化硅晶圓制造技術(shù)上，大尺寸晶圓的研發(fā)和量產(chǎn)正在加速推進(jìn)。從 6 英寸晶圓向 8 英寸晶圓的過渡取得了階段性成果，更大尺寸的晶圓意味著在單片晶圓上可以制造更多的芯片，有助于降低芯片的成本。

碳化硅（英語：silicon carbide，carborundum），化學(xué)式SiC，俗稱金剛砂，寶石名稱鉆髓，為硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀有的礦物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。將碳化硅粉末燒結(jié)可得到堅(jiān)硬的陶瓷狀碳化硅顆粒，并可將之用于諸如汽車剎車片、離合器和防彈背心等需要高耐用度的材料中，在諸如發(fā)光二極管、早期的無線電探測(cè)器之類的電子器件制造中也有使用。如今碳化硅被廣泛用于制造高溫、高壓半導(dǎo)體。使用Lely法能生長(zhǎng)出大塊的碳化硅單晶。人造莫桑石的寶石就是切割由Lely法制備的大塊碳化硅單晶獲得的。

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。